（首尔6日讯）三星电子（Samsung Electronics）打算跟晶圆代工竞争对手台积电（TSMC）合作，一同开发次世代AI用高频宽记忆体“HBM4”。
《韩国经济日报》5日报导，台积电生态与联盟管理负责人丹科赫帕恰林（Dan Kochpatcharin） 5日在《SEMICON Taiwan 2024》表示，两家企业正在共同研发一款无缓冲（bufferless）的HBM4晶片。他说，记忆体制程愈来愈复杂，跟伙伴的合作从未像现在如此重要。
高频宽记忆体（HBM）是一种先进DRAM，处理速度比传统记忆体更快，对AI发展至关重要。HBM4为第六代HBM，三星、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron Technology）等记忆体大厂最快明年就可量产，供应英伟达（Nvidia）等AI晶片设计商。
计划明年下半年量产
分析人士表示，若三星、台积电决定共同研发无缓冲HBM4，将是两家企业在AI晶片领域首次结盟。
消息指出，三星、台积电会先从第六代HBM4开始合作。三星计划明年下半年量产HBM4，并打算借由双方合作，为英伟达、Google等客户供应客制化晶片与服务。
消息显示，三星打算提供一站式服务，从DRAM生产到逻辑晶粒（logic die）制造、先进封装服务一气呵成。不过，三星也考虑使用台积电的技术，因为有客户偏好台积电生产的逻辑晶粒。
三星正在努力追赶HBM领导大厂SK海力士。根据集邦科技（TrendForce）统计，SK海力士的HBM市占多达53%，三星则有35%。SK海力士早在4月就宣布要跟台积电合作生产HBM4晶片，预定2026年量产。
三星总裁暨记忆体事业部负责人李祯培（Jung-bae Lee） 4日在Semicon Taiwan 2024发表主题演说时曾表示，为了将AI晶片效能最大化，客制HBM是最佳选择。他说，三星正在跟其他晶圆代工商合作，提供超过20个客制化解决方案。
李祯培并在论坛的首席执行员峰会指出，三星的系统LSI与记忆体部门虽会负责晶片设计与制造，但该公司也会运用其他晶圆代工商的产能，将HBM效能拉高到极致。
他指出，光靠传统记忆体制程，对HBM效能的提升程度有限。
