（首尔20日讯）韩国科技巨头——三星电子（Samsung Electronics）宣布，把高频宽记忆体晶片（HBM）的研发周期从2年，缩短至1年，旨在紧跟美国图形处理器（GPU）晶片巨头英伟达（Nvidia）等人工智能（AI）加速器客户的发布节奏，把自身嵌入AI硬体生态的核心链条。
凭借高度垂直整合的生产体系，三星在压缩研发周期与确保环节协同方面展现明显优势。
根韩国媒体引述三星内部消息人士报道，该公司已制定计划，未来将每年推出新一代的HBM。目前，三星的最新量产产品为“HBM3E”，而下一代的“HBM4”预计将在今年晚些时候随英伟达“Vera Rubin”平台及“AMD Instinct MI400”平台同步推出。
对齐客户路线图
随著AI应用爆发，加速器厂商普遍转向一年一次产品更新，所以三星的主动提速是以供应链节奏对齐客户路线图，避免在技术代际竞争中落后。
市场分析员指出，三星具备从基础裸片制造、记忆体堆叠到封装的完整内部能力，无需依赖外部供应商。这成为三星做到缩短研发周期的关键因素。
据悉，三星下一代HBM产品“HBM4E”已按计划推进，预计在下半年进入样品测试阶段，成为该战略的首个具体成果。
冀建立先发优势
在HBM市场中，韩国另一家晶片制造大厂——SK海力士（SK Hynix）目前凭借与英伟达的深度绑定保持领先，美国半导体大厂美光（Micron）亦在积极扩大版图。
三星此番战略调整是在竞争压力下主动求变，力求在客制化HBM市场建立先发优势。能否借此重塑尖端记忆体市场的竞争格局，仍有待后续产品周期的实际验证。
要看最快最熱資訊，請來Follow我們 《東方日報》WhatsApp Channel.
.jpeg/c87b1a7d78c935809697aef04c40a3a2.jpeg)
