世界知识产权组织于9月2日在日内瓦发布了2020年全球创新指数（GII）。该指数是世界知识产权组织最具权威和影响力的指标，是全球经济创新创造的风向标，也是各国经济决策的重要参考。
从创新能力和创新产出的年度排名显示，表现最好的经济体几乎全部来自高收入组别，前十名皆以高收入国家为主，与此同时，名列前茅者的排名同比也保持稳定。瑞士、瑞典、美国、英国和荷兰位居创新排名前列，而瑞士在2019年也是高居榜首。韩国首次成为第二个进入前十的亚洲经济体，另一个国家是新加坡，排名第8，而马来西亚排名第33。
从地区角度观察，北美和欧洲领先，其次是东南亚、东亚和大洋洲，然后分别是北非和西亚、拉丁美洲和加勒比、中亚和南亚以及撒哈拉以南非洲。但随著一批亚洲经济体——特别是中国、印度、菲律宾和越南——逐年在创新排名中取得显著进步，世界创新的核心区域正在逐渐往东移。
聚焦第三代半导体
报告显示北美、亚洲和欧洲的风险投资（Venture Capital Investment，简称风投）交易在疫情大流行之中显著下行，揭示用于资助创新型企业的资金正在枯竭。但报告也指，疫情其实只是加剧了在疫情爆发前就已开始的风投交易下行趋势。风险投资者不再向小型且多样化的新型初创企业出资，而是开始侧重于所谓的“大型交易”，推动数量有限的大公司的发展，而不是向数量更多的初创企业提供新资金。
此外，风投目前集中在若干个全球风险投资热点例如新加坡、以色列、中国、卢森堡、美国、印度和英国，而其中只有少数几个位于新兴经济体。而以上国家的风投投资活动已迅速恢复，比如今年早些时候减半的中国风险投资交易已开始强劲反弹。而风投和创新的方向似乎已转向卫生、在线教育、大数据、电子商务和机器人领域。
近日，与美国科技股的大跌形成强烈对比的是中国的半导体与相关科技类电子制造行业的集体反弹。彭博引述知情人士指出，中国计划未来5年，在科研、教育和融资方面，拓展“第三代半导体产业”，并纳入“十四五”规划，于10月份提交予最高领导层。
中国大力支持发展第三代半导体产业，明显是应对美国政府对晶片的出口限制，重视程度如同五十年代研究制造原子弹一样。所谓第三代半导体，是由碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）等材料制成的晶片，其更稳定，尺寸更细、散热佳和耐热度高，可用于发光及电力电子（Power Electronics），甚至成为5G射频晶片的主要物料，被形容为半导体材料的“明日之星”。
中国在发光技术虽然可与美国媲美，但因为在电力电子方面才刚起步，而因碳化矽是一种新材料，制造难度极高，所以目前相关技术依然是以美国为首，台湾技术也相当先进，而中国约落后5年至10年之间。此外，第三代半导体功率较大，可以承受强劲的电压和电流，惟生产技术难度相当高，主要应用于手机射频晶片、5G基站的功率放大器、电动车等。
过去几年中国愈发重视半导体产业，在政策及资本推动下，该产业变得相当活跃。继2014年工信部、财政部、国家开发银行联合牵头，设立国家集成电路产业投资基金（俗称大基金）后，去年成立第二期，注册资本高达2041.5亿人民币／1238亿令吉，重点加强对半导体设备的部署，计划投资晶片制造和设备材料、晶片设计、封装测试等产业链环节。
据报道，现时未有任何国家在新兴的第三代技术上占据“主导优势”。若中国以国家政策引导资金大规模投入相关产业，将会加快研发进度，进而加速提升中国企业在相关产业的技术与竞争力。
