（首尔12日讯）前三星（Samsung）电子高层A某涉嫌盗取机密，企图在中国设立山寨版三星电子半导体工厂被逮捕起诉。
韩联社报导，韩国水原地方检察厅周一表示，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》的罪名将A某逮捕起诉，并以涉嫌违反《不正当竞争防止法》等针对A某在中国设立的公司所属5名职员，还有涉嫌泄露设计图的三星电子合作公司一名职员共6人进行不捕直诉。
A某涉嫌从2018年8月至2019年以不当手法获取，并使用三星电子半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data）、工艺流程图、设计图等资讯。
涉案技术为用于制造30奈米以下动态随机存取记忆体（DRAM）和快闪记忆体晶片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。
经查发现，A某企图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处兴建山寨版三星晶片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8兆韩元（290亿令吉）投资落空，工厂建设项目没能实际进行。但据悉，A某曾在成都获得4600亿韩元（16以4800万令吉）投资建设半导体制造工厂，其中研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。
A某曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在中国设厂后录用200名三星电子、SK海力士的员工，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，A某泄露技术给三星电子至少造成3000亿韩元损失（10亿7500万令吉）。
