三星电子力争赶超台积电　全球首发量产3奈米晶片

（首尔30日讯）韩国三星电子（Samsung）周四宣布，旗下华城工厂已利用3奈米（nm）全环绕栅极（GAA）制程工艺节点开始量产首批晶片，成为全球首家量产3奈米晶片的半导体晶圆代工厂。

韩联社报导，据介绍，与前几代使用鳍式场效应电晶体（FinFET）的晶片不同，第一代3奈米工艺采用GAA电晶体技术，大幅提升了效能。与三星5奈米工艺相比，第一代3奈米工艺可使功耗降低45%，性能提升23%，晶片面积减少16%。

三星表示，将于明年投入的第2代3奈米工艺能使功耗降低50%，性能提升30%，晶片面积减少35%。

三星电子计划将3奈米制程工艺优先应用于高性能计算（HPC）晶片，再扩大至移动系统晶片（SoC）等。此外，三星电子还计划从2025年开始生产基于GAA的2奈米晶片，力争在先进晶片制造领域赶超台积电（TSMC）。

据台湾调研机构集邦谘询（TrendForce）提供的数据，以今年第一季度为准，台积电的全球市场份额以53.6%位居第一，三星电子以16.3%位居第2。据悉，台积电计划下半年起量产3奈米晶片，再将GAA技术应用于其2奈米工艺。

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