（首尔19日讯）韩国科技巨头——三星电子（Samsung Electronics）在晶圆代工领域上试图追赶台湾尖端晶片制造商台积电（TSMC），不过业界传出，三星电子将首次在高频宽记忆体（HBM）制造阶段与台积电合作。
韩国媒体报道，三星电子将采用台积电的3奈米（nm）制程，为英伟达（Nvidia）下一代客制化HBM晶片制造基础晶粒（base die）。
《首尔经济日报》引述消息人士报道，英伟达已要求三星和另两家晶片大厂——SK海力士（SK Hynix）及美国的美光（Micron）在基础晶粒层面，采用台积电的制程，并在核心晶粒采用第6代动态随机存取存储器（DRAM）技术、也就是1c制程。
统一制程标准
报导指出，英伟达提出这项要求，是因为不同HBM供应商制造基础晶粒的方式各异，导致虽然产品是同一套设计、却难以确保成品具有一致的性能。
英伟达说明，其在8月发表的HBM，把英伟达客制化记忆体控制器整合进基础晶粒，旨在统一多家记忆体供应商的实作方式，统一制程标准也能减少英伟达针对不同供应商分别进行产品验证的负担。
经过内部审查后，三星电子同意英伟达的要求，但并未排除在开发与生产过程中，使用自家晶圆厂的可能性，目前仍计划以自有制造模式生产标准HBM，以及为其它客户量身打造的产品。
一位不具名消息人士指称，三星电子也正在评估，若需求超出台积电产能，是否可由自家晶圆代工部门生产基础晶粒。
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