(首尔26日讯)韩国媒体Business Korea周五报导,韩国半导体公司日益担心美国本月稍早通过的晶片和科学法案,因为依据规定,一旦申请取得补贴,未来10年不得在中国在内的指定地区扩大产能和投资,仅老式(legacy)制程不受此限,但该词定义不明,三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)无法完全免于风险。
台湾《联合报》报导,如果美国的禁令仅限于非记忆体晶片,韩国半导体公司的风险将趋近于零,因为三星电子和SK海力士都没在中国生产非记忆体晶片。三星的NAND Flash厂座落在西安,封测设施在苏州。SK海力士的DRAM和NAND Flash工厂分别在无锡和大连。
如果禁令同时包含记忆体和非记忆体晶片,SK海力士会受影响,它的无锡厂量产10奈米晶片DRAM。三星电子的风险相对较低,因为NAND Flash记忆体晶片以堆叠的层数来计算,不是奈米。
不管哪种情况,这两家韩国半导体公司都无法完全免于风险,因为接受补助后的10年间,投资计画和活动都必须知会美国商务部,而这些多半是业务机密。