（柏林30日讯）德国半导体大厂英飞凌（Infineon）宣布，该公司在半导体领域取得新的里程碑，制造出最薄的矽功率晶圆，厚度仅为20微米，直径为300毫米，该晶圆厚度仅人类头发的1/4，是目前最先进的40-60微米矽片厚度的一半。
英飞凌科技首席执行员哈奈贝克（Jochen Hanebeck）表示：“英飞凌在超薄晶圆技术方面的突破，标志著节能电源解决方案向前迈出了重要一步，并帮助我们充分利用全球脱碳和数码化趋势的潜力。凭借这项技术杰作，我们掌握了所有三种相关半导体材料：矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN），从而巩固了我们作为行业创新领导者的地位。”
有助提高能源效率
英飞凌指出，这项创新将显著有助于提高资料中心以及消费性电子、马达控制和运算应用的电源转换解决方案的能源效率、功率密度和可靠性。与基于传统矽晶圆的解决方案相比，晶圆厚度减半可将晶圆的基板电阻降低50%，从而将电力系统中的功耗降低15%以上。
对于高阶AI伺服器应用来说，更高的电流等级推动了不断增长的能源需求，这在功率转换中尤其重要：这里的电压必须从230 V降低到低于1.8 V的处理器电压。晶圆技术提升垂直供电设计，基于垂直Trench MOSFET技术，可与AI晶片处理器紧密连接，进而降低功耗，提升整体效率。
将取代传统晶圆技术
该技术已通过资格认证并应用于英飞凌的整合智能功率级（DC-DC转换器），并已交付给首批客户，它突显了该公司作为20微米晶圆技术相关强大专利组合的持有者，在半导体制造领域的创新领先地位。
随著目前超薄晶圆技术的不断发展，英飞凌预计在未来3至4年内将取代现有的低压功率转换器传统晶圆技术，这项突破巩固了英飞凌在市场上的独特地位，拥有最广泛的产品和技术组合，包括基于矽、碳化矽和氮化镓的装置，这些元件是脱碳和数码化的关键因素。
